半導体用高温 FFKM O リングは、半導体産業向けに特別に設計された高性能シール ソリューションです。
FFKM O リングは高純度で、プラズマ、熱、刺激の強い化学物質に対する耐性が非常に高いため、シールの寿命を延ばし、汚染を減らし、ウェハの歩留まりを高め、生産コストを削減できます。
半導体用高温 FFKM O リングは、半導体産業向けに特別に設計された高性能シール ソリューションです。
FFKM O リングは高純度で、プラズマ、熱、刺激の強い化学物質に対する耐性が非常に高いため、シールの寿命を延ばし、汚染を減らし、ウェハの歩留まりを高め、生産コストを削減できます。
半導体用高温FFKM Oリングについて
半導体用高温 FFKM O リングは、半導体産業向けに特別に設計された高性能シール ソリューションです。 FFKM O リングは高純度で、プラズマ、熱、刺激の強い化学物質に対する耐性が非常に高いため、シールの寿命を延ばし、汚染を減らし、ウェハの歩留まりを高め、生産コストを削減できます。
半導体装置用封止ソリューション（ウェットプロセス）
ウェットプロセス
半導体の湿式プロセスには、多種多様な化学媒体と複雑なアプリケーション シナリオが含まれますが、コストについても慎重に考慮する必要があります。
Hao-o Sealing は、幅広い耐薬品性を備えた静的、動的、複合シーリング用途向けの製品を幅広く提供しています。
当社のソリューションは、ウェットエッチング、CMP（化学機械研磨）、フォトレジストのコーティング＆現像などのさまざまなプロセスに適用されます。
| FFKM | ||||
| プロセスカテゴリ | プロセス | 温度 | 動作条件 | 材料 |
| ウェットプロセス | ウェーハの準備 | 25～125℃ | SC1、SC2、SPM、HF、UPDI | PF75WX00 PF75WX20 PF75KX20 |
| CMP | 25～100℃ | KOH、NH3、UPDI | ||
| フォトリソグラフィー | 25～125℃ | TMAH、NaOH、H2SO4+酸化剤、有機酸、NMP、アミン | ||
| ストリッピング | 25～125℃ | NMP、MEA、HDMS、DMSO | ||
| 洗浄・エッチング | 25～180℃ | HCI、HNO3、H3PO4、HF、UPDI、SC1、SC2、O3 | ||
| 銅メッキ | 25～100℃ | CuSO4、H2SO4、H2O2 | ||
半導体用高温FFKM Oリングの主な特長
1. 広い温度範囲: FFKM O リングは、通常 -51°F ～ 620°F (-46°C ～ 327°C) の範囲の極端な温度で動作でき、一部の配合物は 300°C もの高温に耐えることができます。このため、大きな熱変動を伴う用途に適しています。
2. 化学的適合性: FFKM O リングは、ほぼすべての化学物質に対して優れた耐性を備えており、1,800 種類以上の異なる化学物質に耐えることができます。このため、半導体製造プロセス、特に腐食性の高い化学処理やエッチングプロセスにおいて優れた性能を発揮します。
3. 低アウトガスと純度: FFKM 材料は、低アウトガス特性で知られています。これは、微小な不純物がチップ バッチを台無しにする可能性があるため、半導体製造において重要です。また、高い純度レベルを維持し、敏感なプロセスに不純物が混入するリスクを最小限に抑えます。
4. 寸法安定性: FFKM O リングは、極端な条件下でも形状とサイズを維持し、長期にわたる信頼性の高いシール性能を保証します。
5. 機械的特性: これらの O リングは優れた機械的強度と弾性を備えており、静的用途と動的用途の両方で効果的に機能します。真空条件に対応でき、摩擦が低いため、可動部品に最適です。
半導体装置用封止ソリューション（熱プロセス）
熱プロセス
Hao-o シーリング製品は、LPCVD、酸化、拡散、RTP などの高温プロセスにおける優れた耐熱性とガス放出性能を備えています。
当社の製品は、極端な熱条件下での高性能ゴム材料に対する顧客の要件を満たします。
| FFKM | ||||
| プロセスカテゴリ | プロセス | 温度 | 動作条件 | 材料 |
| 熱プロセス | SACVD | 25～300℃ | テップ、テボ、テオス、NF3、NH3、O3、O2、N2 | PF75WX40 PH75WX00 PH75TX00 |
| メタルCVD&ALD LPCVD | 25～300℃ | 有機前駆体、WF6、SiH6、TMA、DMAH、TiCl4、SiH4、HF、Cl2、SiH2Cl3、ClF3、NF3、H2O 蒸気、O2、O3 | ||
| ランパニーダー RTP | 150～300℃ | 赤外線、O2、蒸気 | ||
| 酸化拡散 | 150～300℃ | N2、O2、H2O、HCI、CI2、B2H6、PH3、BBr3、POCI3 | ||
| UV硬化 | 150～300℃ | N2、O2、O3、Ar | ||
| 熱 ALD | 150～300℃ | TEOS、SiH4、NH3、SiF4、CF4、NF3 | ||
FFKM O リングを使用する利点
1. 信頼性の向上: FFKM O リングの耐久性により耐用年数が長くなり、メンテナンスの必要性と機器のダウンタイムが削減されます。この信頼性は長期的なコスト削減につながります。
2. 製品品質の向上: これらの O リングは、プロセス汚染を最小限に抑えることで、精度が重要な半導体製造において重要な製品の歩留まりと品質の向上に役立ちます。
3. 費用対効果: FFKM は他のエラストマーと比較して初期コストが高いかもしれませんが、耐用年数が長く、メンテナンスの必要性が低いため、多くの場合、総運用コストを削減できます。
半導体製造におけるアプリケーション
FFKM O リングは、以下を含む半導体業界のさまざまな重要なプロセスで使用されます。
1. 化学蒸着 (CVD)。
2. エッチング (ウェットおよびドライ)。
3. 化学機械研磨 (CMP)。
4. 剥離に抵抗します。
5. プラズマとガスの堆積。
これらの用途は、高いパフォーマンスと信頼性が要求される環境における FFKM O リングの多用途性を際立たせます。
