半導体用高温 FFKM O リングは、半導体業界向けに特別に設計された高性能シーリング ソリューションです。
FFKM O リングは純度が高く、プラズマ、熱、強力な化学物質に対する耐性が非常に高いため、シール寿命が延び、汚染が減り、ウェーハの歩留まりが向上し、生産コストが削減されます。
半導体用高温 FFKM O リングは、半導体業界向けに特別に設計された高性能シーリング ソリューションです。
FFKM O リングは純度が高く、プラズマ、熱、強力な化学物質に対する耐性が非常に高いため、シール寿命が延び、汚染が減り、ウェーハの歩留まりが向上し、生産コストが削減されます。
半導体用高温FFKM Oリングについて
半導体用高温FFKM Oリングは、半導体業界向けに特別に設計された高性能シーリングソリューションです。FFKM Oリングは高純度で、プラズマ、熱、強力な化学薬品に対する耐性が非常に高く、シール寿命の延長、汚染の低減、ウェーハ歩留まりの向上、生産コストの削減を実現します。

半導体装置(ウェットプロセス)向けシーリングソリューション
湿式プロセス
半導体ウェットプロセスには、さまざまな化学媒体と複雑なアプリケーションシナリオが関係し、慎重なコストの考慮も必要です。
Hao-o Sealing は、幅広い耐薬品性を備えた静的、動的、複合シーリング アプリケーション向けの幅広い製品を提供しています。
当社のソリューションは、ウェットエッチング、CMP(化学機械研磨)、フォトレジストのコーティングと開発など、さまざまなプロセスに適用されます。


| FFKM | ||||
| プロセスカテゴリ | プロセス | 温度 | 動作条件 | 材料 |
| 湿式プロセス | ウエハー準備 | 25~125℃ | SC1、SC2、SPM、HF、UPDI | PF75WX00 PF75WX20 PF75KX20 |
| CMP | 25~100℃ | KOH、NH3、UPDI | ||
| フォトリソグラフィー | 25~125℃ | TMAH、NaOH、H2SO4+酸化剤、有機酸、NMP、アミン | ||
| ストリップ | 25~125℃ | NMP、MEA、HDMS、DMSO | ||
| 洗浄/エッチング | 25~180℃ | HCI、HNO3、H3PO4、HF、UPDI、SC1、SC2、O3 | ||
| 銅メッキ | 25~100℃ | CuSO4、H2SO4、H2O2 | ||

半導体用高温FFKM Oリングの主な特長
1. 広い温度範囲:FFKM Oリングは、通常-51°F~620°F(-46°C~327°C)の極端な温度範囲で動作し、一部の配合では300°Cまでの温度に耐えることができます。そのため、温度変動の大きい用途に適しています。
2. 耐薬品性:FFKM Oリングは、ほぼすべての化学物質に対して優れた耐性を備えており、1,800種類以上の化学物質に耐えることができます。そのため、半導体製造プロセス、特に腐食性の高い化学処理やエッチングプロセスにおいて優れた性能を発揮します。
3. 低アウトガス性と高純度:FFKM材料は低アウトガス特性で知られています。これは半導体製造において極めて重要です。わずかな不純物でもチップバッチに悪影響を与える可能性があるためです。また、高い純度レベルを維持するため、繊細なプロセスへの不純物混入リスクを最小限に抑えます。
4. 寸法安定性: FFKM O リングは、過酷な条件下でも形状とサイズを維持し、長期にわたる信頼性の高いシール性能を保証します。
5. 機械的特性:これらのOリングは優れた機械的強度と弾力性を備えており、静的用途と動的用途の両方で効果的に機能します。真空条件にも対応し、低摩擦特性を備えているため、可動部品に最適です。


半導体装置(熱処理プロセス)向けシーリングソリューション
熱処理
Hao-o シーリング製品は、LPCVD、酸化、拡散、RTP などの高温プロセスにおいて優れた耐熱性とガス放出性能を特徴としています。
当社の製品は、極度の温度条件下での高性能ゴム材料に対する顧客の要求を満たします。


| FFKM | ||||
| プロセスカテゴリ | プロセス | 温度 | 動作条件 | 材料 |
| 熱処理プロセス | SACVD | 25~300℃ | テップ、テボ、テオス、NF3、NH3、O3、O2、N2 | PF75WX40 PH75WX00 PH75TX00 |
| 金属CVD&ALD LPCVD | 25~300℃ | 有機前駆体、WF6、SiH6、TMA、DMAH、TiCl4、SiH4、HF、Cl2、SiH2Cl3、ClF3、NF3、H2O 蒸気、O2、O3 | ||
| ランプネアダー RTP | 150~300℃ | 赤外線、O2、蒸気 | ||
| 酸化拡散 | 150~300℃ | N2、O2、H2O、HCl、CI2、B2H6、PH3、BBr3、POCI3 | ||
| UV硬化 | 150~300℃ | N2、O2、O3、アルゴン | ||
| 熱ALD | 150~300℃ | TEOS、SiH4、NH3、SiF4、CF4、NF3 | ||

FFKM Oリングを使用する利点
1. 信頼性の向上:FFKM Oリングは耐久性に優れているため、耐用年数が長くなり、メンテナンスの必要性と設備のダウンタイムが削減されます。この信頼性は長期的なコスト削減につながります。
2. 製品品質の向上: プロセス汚染を最小限に抑えることで、これらの O リングは製品の歩留まりと品質の向上に役立ちます。これは、精度が重要となる半導体製造において非常に重要です。
3. コスト効率: FFKM は他のエラストマーに比べて初期コストが高くなる可能性がありますが、耐用年数が長くメンテナンスの必要性が低いため、総運用コストを削減できる場合が多くあります。


半導体製造における応用
FFKM O リングは、半導体業界のさまざまな重要なプロセスで使用されます。
1. 化学蒸着法(CVD)。
2. エッチング(ウェットとドライ)。
3. 化学機械研磨(CMP)。
4. 剥離に抵抗します。
5. プラズマおよびガス蒸着。
これらのアプリケーションは、高いパフォーマンスと信頼性が要求される環境における FFKM O リングの汎用性を強調しています。

